晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào)：DBC－101－ITSM
的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管經(jīng)營(yíng)、應(yīng)用等單位的Z佳設(shè)備。

產(chǎn)品型號(hào)：DBC－101－ITSM

更新時(shí)間：2024-02-11

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晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào)：DBC－101－ITSM

晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái)

簡(jiǎn)介
    的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的佳選設(shè)備。
    技術(shù)指標(biāo)：
    1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
    2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
    3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
    4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未巍?br style="margin: 0px; padding: 0px;"/>    5．設(shè)備配有**用示波器供觀看反向伏安特性波形。

用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波。控制回路采用單片機(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的佳選設(shè)備。
    技術(shù)指標(biāo)：
    1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
    2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
    3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
    4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未巍?/span>
    5．設(shè)備配有**用示波器供觀看反向伏安特性波形。